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長(zhǎng)沙傾佳電力電子技術(shù)有限公司
主營(yíng)：SiC模塊全面取代IGBT模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板，SiC功率模塊替代英飛凌碳化硅SiC模塊長(zhǎng)沙代理國(guó)產(chǎn)替代，SiC功率模塊替代英飛凌IGBT模塊，SiC功率模塊替代三菱IPM模塊長(zhǎng)沙代理國(guó)產(chǎn)替代，SiC功率模塊替代賽米控IGBT模塊長(zhǎng)沙代理國(guó)產(chǎn)替代，SiC功率模塊替代FUJI富士IGBT模塊長(zhǎng)沙代理國(guó)產(chǎn)替代，SiC功率模塊替代賽米控丹佛斯功率模塊長(zhǎng)沙代理國(guó)產(chǎn)替代，汽車級(jí)碳化硅SiC模塊，Easy3B碳化硅SiC模塊，Easy2B碳化硅SiC模塊，Easy1B碳化硅SiC模塊，34mm碳化硅SiC模塊，62
[未核實(shí)]

[湖南/長(zhǎng)沙市]

長(zhǎng)春傾佳電力電子技術(shù)有限公司
主營(yíng)：長(zhǎng)春國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)SiC碳化硅MOSFET功率模塊|SiC模塊革IGBT模塊命|基本半導(dǎo)體代理商|長(zhǎng)春新能源汽車碳化硅SiC功率模塊|基本半導(dǎo)體SiC模塊替代長(zhǎng)春英飛凌IGBT模塊|基本半導(dǎo)體SiC模塊替代長(zhǎng)春三菱IGBT模塊|基本半導(dǎo)體SiC模塊替代替代長(zhǎng)春賽米控IGBT模塊|基本半導(dǎo)體SiC模塊替代長(zhǎng)春FUJI富士IGBT模塊|62mm基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET模塊|ED3基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET模塊|基本半導(dǎo)體SiC碳化硅降低電源紋波系數(shù)|動(dòng)態(tài)響應(yīng)|電抗成本|電力電子|BASiC基本半
(服務(wù)商) [未核實(shí)]

[吉林/長(zhǎng)春市]

華邦電力科技股份有限公司
主營(yíng)：通用型變頻器，軟件功能強(qiáng)大，具有多種控制方式；內(nèi)置PID.簡(jiǎn)易PLC;輸出轉(zhuǎn)矩高（150%1分鐘）過載能力強(qiáng)，廣泛應(yīng)用于編織,化纖，印染，塑料，輕工，機(jī)械，化工，鋼鐵，造紙等各種行業(yè)，并受到用戶的一致好評(píng)。 JJR2系列軟起動(dòng)器是現(xiàn)代電力電子技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)和現(xiàn)代控制理論相結(jié)合的新型起動(dòng)設(shè)備，是傳統(tǒng)用于電動(dòng)機(jī)起動(dòng)的星三角轉(zhuǎn)換、自藕降壓、磁控降壓等起動(dòng)設(shè)備的理想
(貿(mào)易商) [未核實(shí)]

[浙江/溫州市]

長(zhǎng)沙奧托自動(dòng)化技術(shù)有限公司
主營(yíng)：低壓交流電機(jī)軟起動(dòng)器以大功率晶閘管做主回路開關(guān)元件，通過改變晶閘管的導(dǎo)通角控制電動(dòng)機(jī)電壓的平穩(wěn)升降和無觸點(diǎn)通斷，完成電動(dòng)機(jī)的平穩(wěn)起停，減小電流對(duì)電網(wǎng)的沖擊，降低設(shè)備的振動(dòng)和噪聲及起動(dòng)機(jī)械應(yīng)力，延長(zhǎng)電動(dòng)機(jī)及相關(guān)設(shè)備的使用壽命。 QB-H系列中高壓軟起動(dòng)裝置采用計(jì)算機(jī)控制技術(shù)和電力電子技術(shù)相結(jié)合，以高壓大功率晶閘管為主回路的開關(guān)元器件，通過改變晶閘管的導(dǎo)通角來控制電動(dòng)機(jī)電壓的平穩(wěn)升降和無觸點(diǎn)通斷，實(shí)現(xiàn)電動(dòng)機(jī)的平衡起停。以較理想的電流來起動(dòng)電機(jī)，有效地減小對(duì)電網(wǎng)的沖擊，降低設(shè)備的振動(dòng)，噪音及起動(dòng)機(jī)械應(yīng)力，延長(zhǎng)
(制造商) [未核實(shí)]

[湖南/長(zhǎng)沙市]

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