南京沃天PC90D單晶硅差壓傳感器是一種具有可靠過載壓力保護功能的差壓傳感器，差壓敏感核心采用了高性能的硅壓阻式差壓芯片，利用全焊接密封結構進行組裝，并在高真空下充灌硅油，不同材質的測量膜片在隔離被測介質與差壓芯片的同時，還能使傳感器對各種強腐蝕性介質的壓差信號進行長期可靠測量。差壓傳感器通過外部恒流或恒壓供電激勵能將被測的壓差信號轉換成與之線性正比的毫伏電壓信號。

一、 原理

                                  圖1 硅傳感器的結構圖       圖2 加壓以后效果

采用德國進口高穩芯片

● 精度高

● 穩定性好

● 耐靜壓

二、 結構介紹

1 爆炸圖

2 基芯部件

三、優點

1 過壓保護設計

如圖 所示，為克服單晶硅硅片抗過載能力不足的缺陷。該單向壓力過載保護差壓傳感器不僅能測出現場工況在額定壓力范圍內的壓差值，而且在發生單向壓力過載的情況下還能有效地進行自我保護，避免了硅差壓傳感單向壓力過載而引起的損壞。

2 量程比可調性能

表一  PCM3051S-DP差壓變送器的量程比性能試驗

結論：抽3只，量程比設置為10:1和100:1，測試結果都能達到較高精度

3 壓力滯后性能

² 壓力滯后特性也稱回程誤差特性，俗稱回差，對于壓力、差壓變送器來說是一個較為重要的考核指標?；夭畹拇笮≈苯佑绊懙阶兯推鞯臏y量準確性和長期漂移性能。

如圖4所示，這是一張典型的單晶硅誤差曲線和金屬電容誤差曲線的比較示意圖。從圖中可以看出，單晶硅原理傳感器的線性誤差曲線的回差極小，上行程和下行程幾乎重合，其回差基本可以忽略不計；而金屬電容式原理的線性誤差曲線的回差較大，上行程和下行程呈開口狀，直接影響到變送器的輸出精度。

                         圖4  誤差曲線例圖

4 靜壓特性

采用獨特的單晶硅芯片封裝工藝，封裝以后其內腔和外腔達到壓力平衡。如圖5所示為單晶硅硅片的封裝示意圖，當有工作靜壓加載到測量硅片的正負腔時，工作靜壓通過硅片外部的正腔硅油和硅片內部的負腔硅油平衡加載到測量硅片上，并實現了相互抵消，從而使得測量硅片對工作靜壓的彎曲變形極小。這樣處理大幅提升了差壓變送器的靜壓影響性能。

5 性能指標和可靠性

PCM3051S系列高穩定性壓力、差壓變送器達到了國際先進水平，其主要的技術優勢表現為：

⑴ 準確度等級達到0.05級；

⑵ 微差壓變送器，可達0.075%FS的高測量精度，最大靜壓達16MPa，最小的測量差壓為-200Pa~200Pa；

⑶ 差壓變送器最高工作靜壓可達40MPa，單向過載壓力最高可達40MPa；

⑷ 壓力、差壓傳感器內部集成的高靈敏度溫度傳感器，使得變送器溫度性能極佳，最優為≤0.04 %FS/10K；

⑸ 實現了極寬的測量范圍 0-200Pa～60MPa，最高100:1的可調節量程比輸出；

⑹ 遠傳變送器采用先進的超高溫專利技術，可應用于 400℃超高溫測量場合，突破了遠傳產品應用和測量的瓶頸。

三、差壓變送器核心部件

                        液位法蘭變送器                     差壓遠傳變送器